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Wechselstrom 3V 2016 20-30LM führte Chip Led Smd Bead Chips-Birnen-Licht

Grundlegende Informationen
Herkunftsort: SUZHOU
Markenname: PHOENIX
Modellnummer: 2016
Min Bestellmenge: 4000PCS
Preis: Verhandlungsfähig
Verpackung Informationen: 4000PCS /ROLL
Lieferzeit: 7-10 Tage
Zahlungsbedingungen: Western Union, MoneyGram, T/T
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 400KK PRO MONAT
Name: Weiße Farbe SMD LED 2016 nput Spannung (V): 3V
CCT: 2700K 3000K 6000K Energie: 0.2W
Lichtstrom (lm): 20-30lm Garantie (Jahr): 2 Jahre
Arbeitszeit (Stunden): 20000 Farbwiedergabeindex (Ra): 80
Betriebstemperatur (℃): -40-85 Lampen-leuchtende Leistungsfähigkeit (lm/w): 130
Hervorheben:

Wechselstrom 2016 führte Chip

,

Smd Wechselstrom führte Chip

,

geführtes smd bördeln Chipbirnenlicht

CHIP 3V 60MA 0.2W 2016 20-30LM PPT SMD LED BENUTZT FÜR LED-STREIFEN

 
Außendekoration: Tagespositionslampe, Nebellicht, Blinkerlicht, hinteres Kombinationslicht, Kfz-Kennzeichen-Beleuchtung, Körperbeleuchtung (wie Grill und Logo)
Innen: Karte und Innenhaubenbeleuchtung
Sichtbarmachung:
Tragbare Lampe
Anzeigenhintergrundbeleuchtung
Beleuchtung:
Innen-, und Architekturbeleuchtung im Freien
Dekorative und Unterhaltungsbeleuchtung
Werbung von Beleuchtung
Signallampe
 
1.Feature:

Betrachtungswinkel: 120 Grad

Ø die Materialien der LED-Würfel ist InGaN

Ø 2.2mm*1.6mm*0.6mm

Ø RoHS konformes bleifreies Löten kompatibel

 

Struktur 2.Package:

Wechselstrom 3V 2016 20-30LM führte Chip Led Smd Bead Chips-Birnen-Licht 0

                                                                             Einheit: Millimeter Toleranz: +/-0.2mm

 

 

Zahl: ReihenSchaltplan der mittleren Energie 0.2W dünner

Toleranz: ±0.2mm wenn nicht anders vermerkt

Elektroden: AG-Überzug-Kupferlegierung

Einkapselung des Harzes: Silikon-Harz

Paket: Hitzebeständiges Polymer

 

 Eigenschaften 3.Electro-Optical:                                                       (Jede LED @ 60mA, Ta 25℃)

Produkt nein. Material VF (V) Farbe RA Fluss (lm)
Minute maximal Cie-Koordinaten x, y Minute maximal
QT-2016ZW-1CSAZ InGaN 2,8 3,5 Art x=0.33, y=0.33 80 85 28

 

Spezifikation 4.Product:

 

Einzelteil Spezifikation Material Quantität
Chip InGaN InGaN 1 in 1
Reflektor Weiß PPA  
Feld C2680 Silber-überzogenes Kupfer  
Golddraht 0.9mil Legierung  
Phosphor Gelb YAG  
Encapsulant MilkyWhite Harz  
Fördermaschinenband Entsprechend Spezifikt. UVP 481-1A Leitfähiges schwarzes Band 4000pcs pro Spule
Spule Entsprechend Spezifikt. UVP 481-1A Leitfähiges Schwarzes 4000pcs pro Spule
Aufkleber Repsn-Standard Papier  
Verpackende Tasche 220x240mm Lamellierter Taschenno-aluminiumreißverschluß Eine Tasche der Spule eine
Karton Repsn-Standard Papier Nicht-spezifiziert

 

Maximalleistungen 5.Absolute:

 

Einzelteil Symbol Absolute Maximalleistungen Einheit
Vorwärtsstrom WENN 60 MA
Sperrspannung Vr 5 V
Pulsierter Vorwärtsstrom IFP* 90 MA
Verlustleistung PD 0,2 W
Betriebstemperatur SPITZE -40~85
Lagertemperatur Test -40~85
Elektrostatische Entladung ESD 2000 (HBM) V
Grenzschichttemperatur Tj 110
Thermischer Widerstand LED Rth-s-j 27 ℃/W

 

elektrooptische 6.Typical Kennlinien:

Wechselstrom 3V 2016 20-30LM führte Chip Led Smd Bead Chips-Birnen-Licht 1

 

Liste der Zuverlässigkeitsprüfungs-7.LED:

 

Test-Einzelteil Testbedingungen Standard Menge (PC)
Leben-Test 25℃, 1000Hrs@60mA / 22
Hohe Temperatur 85℃, 1000Hrs@60mA / 22
Niedrige Temperatur -40℃, 1000Hrs@60mA / 22
Hohe Feuchtigkeits-Hitze

85℃, 85%RH,

1000Hrs@60mA

/ 22
Niedrige Temperatur-Speicher -40℃, 1000Hours

JEITA ED-4701

200 202

22
Speicher der hohen Temperatur 100℃, 1000Hours

JEITA ED-4701

200 201

22
Temperatur-Zyklus (- 40' C 30mins --25' C (5mins)--100 ' C (30mins), ändernde Rate des Temp: 3+/-0.6' C/min)

JEITA ED-4701

100 105

22
Wärmestoß -40 ' C (15mins) --100 ' C (15mins), ändernde Zeit <5mins> MIL-STD-202G 22
Impuls-Leben-Test Tp=1ms, DC=0.1, D=Tp/T @ 3×60mA, 1000Hours / 22
Esd-Test (HBM) 2000V-, 200V-/Step, Vorwärts- u. Rücktest 3times

EGZ

(Q101-001)

22
Lötender Widerstand

260±5℃, 10S, 3times

Vorbehandlung 30℃, 70%RH

JEITA ED-4701

300 302

22
Zerfall der Rückflut-IV

260±5℃, 10S, 1time

Vorbehandlung 30℃, 70%RH, 168Hours

/ 22
Urteil-Kriterien
Vorwärtsspannung VF VF-Maximal-Zunahme < 1="">
Gegenwärtiger RÜCKIR Ir-Maximal-Zunahme < IRmax="">
Lichtstärke IV IV Zerfall < 40="">
※ Löten Fertigkeitstesttestkriterien: Abdeckung ist nicht kleiner als 95%
Anmerkung: Maß wird genommen, nachdem die geprüften Proben zu den normalen Umgebungsbedingungen zurückgebracht worden sind (im Allgemeinen nach zwei Stunden)

 

8. Vorsichtsmaßnahmen:

Das eingekapselte Material der LED ist Silikon. Deshalb haben die LED eine weiche Oberfläche auf

Spitze des Pakets. Der Druck zur Oberfläche ist Einfluss zur Zuverlässigkeit der LED. Vorsichtsmaßnahmen sollten getroffen werden, um den starken Druck auf dem eingekapselten Fach zu vermeiden. So, wann man die Düse des Sammelns aufbraucht, der Druck auf dem Silikonharz sollte richtig sein.

8,1: Lötkolben:

8.1.1 wenn die lötende Hand, die Temperatur des Eisens weniger als 300℃ für 3 Sekunden muss.

8.1.2 sollte das Handlötmittel getan werden nur man Zeit festsetzt

8,2: SMT-Aufschmelzlöten-Anweisungen SMT:

8.2.1 sollte das Aufschmelzlöten nicht erfolgt sein mehr als zweimal;

8.2.2 wann lötend, setzen Sie Druck nicht auf die LED während der Heizung;

8.2.3 das empfohlene Aufschmelzlötenprofil als Folgen:

Wechselstrom 3V 2016 20-30LM führte Chip Led Smd Bead Chips-Birnen-Licht 2

 

8,3 Behandlung von Vorkehrungen

8.3.1Handle die Komponente entlang der Seitenoberfläche durch die Anwendung der Zange oder der passenden Werkzeuge;

                                                                     Wechselstrom 3V 2016 20-30LM führte Chip Led Smd Bead Chips-Birnen-Licht 3

8.3.2 nicht direkt berühren Sie oder behandeln Sie die Silikonlinsenoberfläche. Sie beschädigt möglicherweise den internen Schaltkreis;

                        Wechselstrom 3V 2016 20-30LM führte Chip Led Smd Bead Chips-Birnen-Licht 4

 

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